パワー半導体と銀焼結接合材の断面分析

ユーザーベネフィット

- 銀焼結接合材の粒子形状の評価に役立ちます。 - 銀焼結による接合界面のボイドなどの焼結状態や元素拡散などの評価に役立ちます。 - メタライズ処理の膜厚など表面特性に関する研究に役立ちます。

はじめに

パワー半導体は、家電機器、車載機器、送配電システムに至るまで幅広く活用されています。昨今、従来のSi（シリコン）半導体に代わり、より高温での動作が可能であるSiC（シリコンカーバイド）半導体が注目されています。 SiCの適用により、パワー半導体の動作温度は今後200 ℃以上に高まると予想され、高温での動作は接合材料の劣化や脆化を引き起こす可能性があるため、半導体チップを接合するダイボンド部の耐熱性が課題となります。 銀（Ag）焼結材は、200 ℃以上の高温に耐えることができ、優れた熱伝導性を持っているため、放熱性が向上してデバイスの温度管理が改善されます。銀焼結材を使用することで、脆化を防ぎ、接合部の信頼性が向上するので、放熱性に優れたダイボンド材料の一つとして、銀粒子が注目されています。 今回、電子線マイクロアナライザEPMA （EPMA-8050G）を使用したパワー半導体の分析例をご紹介します。

2025.08.20