SSRMによるn型Si試料および液系リチウムイオン電池正極の局所抵抗分布の可視化

ユーザーベネフィット

- 半導体や電池のような電子材料中の電流分布（1 pA～10 mA）・抵抗分布（0.1 Ω～10 TΩ）をワイドレンジで検出できます。 - 半導体デバイスのキャリア濃度分布を抵抗分布から推定できます。 - リチウムイオン電池電極内の抵抗分布から活物質や導電助剤などの分布や電子伝導経路を推定できます。

はじめに

半導体デバイスや液系リチウムイオン電池（LiB）では、構成部材の微小な分布状態が素子特性や電池特性に影響するため、ナノスケールでデバイス内部の抵抗分布を把握することが重要です。走査型プローブ顕微鏡［SPM（AFM）］を用いた走査型拡がり抵抗顕微鏡法（SSRM: Scanning Spreading Resistance Microscopy）は、試料の微小領域の抵抗分布を可視化することで、半導体デバイスにおけるドーパント濃度の推定やLiB内部の電子伝導経路の可視化に有効です。本報では、n型Si試料および液系LiB正極をSSRMで評価した事例を紹介します。

2026.10.14