多結晶シリコンウェハのバンドギャップ測定

はじめに

半導体の研究・開発では，基本的な物性量であるバンドギャップ（禁制帯幅）の測定が行われます。シリコンウェハのバンドギャップは，波長でおよそ 1000 ～ 1200 nm の波長域にあります。紫外可視近赤外分光光度計で測定する場合，この領域は検出器の感度が低下してノイズが発生し易いため，より感度の高い測定が望まれていました。今回，三検出器搭載型の積分球を内蔵した大形試料室 MPC-603 を開発し，紫外から近赤外までの全ての領域で高感度測定を実現しました。太陽電池等でよく用いられる多結晶シリコンウェハを測定し，オプションソフトウェアであるバンドギャップ計算エクセルマクロを使用して，そのバンドギャップを求めましたのでご紹介します。

2014.08.25