シリコンウェハ表面SiO2薄膜の分析

はじめに

シリコンウェハに関する分析方法として赤外分光分析法はシリコン中格子間酸素原子濃度，シリコン結晶中置換型炭素原子の分析やシリコンウェハ表面窒化膜，窒化膜中水素濃度の分析などに古くから用いられています。絶縁などの目的に用いられるSiO2膜についても比較的厚い膜については分析されてきましたが，1nm以下の薄膜については主に感度の問題で良好な結果が得られませんでした。 今回は，IRPrestige-21を用いシリコンウェハ上に形成された厚さ数nm～1nm以下のSiO2薄膜の分析を透過法およびATR法（１回反射，Geプリズム）にて行ないました。

2004.04.03