島津ダイナミック超微小硬度計DUH-W201Sによる低比誘電率(Low-k)膜の硬さ試

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はじめに

Low-k 膜は電子デバイスの信号遅延を小さくし性能向上をはかるため採られる成膜法です。通常ウェハー上に形成されるため、耐摩耗性、耐はく離性などがその性質として要求されます。ここでは、島津ダイナミック超微小硬度計DUH-W201Sを用いてSiウェハー上の low-k 膜の試験をした例を紹介します。

2002.03.05

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