Siウェハ中の軽元素濃度計算プログラム

FTIRシリーズ セミカスタム品

プログラム起動時と結果表示のイメージ図(結果表示は置換型炭素濃度計算結果)
プログラム起動時と結果表示のイメージ図
(結果表示は置換型炭素濃度計算結果)

このプログラムはシリコン結晶中の置換型炭素,格子間酸素およびSiN膜中のN-H,Si-Hの水素濃度を定量するためのものです。
置換型炭素濃度および格子間酸素濃度については,日本電子工業振興協会から発行されているJEITA規格(シリコン結晶中の格子間酸素濃度と置換型酸素濃度の標準測定法)に沿ったプログラムとなっています。測定はすべて透過法で実施し,ブランクとなるSiウェハはお客様で準備していただく必要があります。ブランク試料の詳細については以下をご参照ください。

格子間酸素濃度用ブランク試料の形状および濃度

試料形状はFZ法結晶の両面研磨薄片で,酸素濃度1×1016atoms/cm3(0.2ppma)以下の5Ωcm以上の抵抗率を持つこと。

置換間炭素濃度用ブランク試料の形状および濃度

試料形状は厚さ約2.0mmの両面研磨薄片で,炭素濃度2×1015atoms/cm3(0.2ppma)以下であること。

対象試料

Siウェハ