ラマン分光光度計によるGaNエピタキシャル膜測定

ラマン分光光度計によるGaNエピタキシャル膜測定

  • 顕微ラマン・フォトルミネッセンス高速マッピング測定
  • 結晶性評価,非発光中心(欠陥測定・転移分布など)評価,キャリア濃度均一性評価
  • R&Dから量産抜き取り検査まで対応(基板全面からミクロエリアまで一台で対応)
  • ウェハ大口径化による反り(応力),結晶欠陥評価
  • 結晶欠陥低減による電子・正孔再結合低減
  • (立ち上げ時,メンテナス後の)MOCVD成膜装置特性ばらつき評価

GaN/Sapphire基板の面内 Photoluminescence均一性評価

InVia Reflex/StreamLine 顕微ラマン分光光度計

inVia Reflex/StremLine 顕微ラマン分光光度計

  • 3本まで励起レーザを搭載可能(532nm 50nW,633nm 17mW,785nm 300mWより。他波長レーザも取り付け可能)
  • 回折格子の回転とCCD検出器の信号取り込みを同期させることで広い波数範囲の測定が可能。広い範囲に渡ってつなぎ目のないスペクトルを取得。
  • StreamLine-高速,高分解能でのイメージング機能。面方向に対して最高約1umの高空間分解能でイメージング測定が可能。
  • 励起レーザの切替,オートアラインメントによる光路の最適化。
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