半導体と粉体測定

LSI の高密度化が進むと配線は多層となり配線間隔が狭くなります。これがある寸法以下になると、従来から配線層間の絶縁膜に用いられているSiO₂では、誘電率が高過ぎるため、配線による信号の遅延という問題を生じます。このため、層間絶縁膜として低誘電率（low-k）材料を開発し、信頼性が高く高速な信号伝達を可能にすることは、現在最も重要視されているテーマのひとつです。cf.MIRAIプロジェクト（次世代半導体材料・プロセス基盤技術開発プロジェクト）
　
low-k材料を開発する上で、細孔の寸法やその構造を把握することは不可欠です。細孔の寸法や構造は、比誘電率や機械的強度だけでなく、他の膜との密着性、エッチング特性、洗浄・乾燥特性、CMP（化学的機械研磨）特性、熱伝導性などに影響を与えます。
　

● その他の半導体関連分析データ

CMPスラリーの粒度分布評価